OTL-PECVD-1200-1400-1200三温区PECVDシステムは、3台のスライド式真空管式炉、石英真空室、無線周波電源、GX給気システム、抽気システム、真空測定システム、電動ドラッグ機構から構成される。

主な特徴：

1、高周波電源を通じて石英真空室内のガスをイオン状態に変える。

2、PECVDは通常のCVDより化学蒸着に必要な温度が低い

3、RF電源の周波数によって堆積した薄膜の応力の大きさを制御することができる

4、PECVDは普通のCVDより化学蒸着速度が高く、均一性が良く、一致性と安定性が高い。

5、広範に応用：SiOx、SiNx、SiOxNyと非晶質シリコン（a-Si：H）などの各種薄膜の成長。

この三温区PECVDシステムは急速に加熱、冷却できるPECVDシステムで、3台の管式炉に1対の電動スライドレールを取り付け、電動スライドシステムを利用できる。加熱と冷却速度は最大100°C/minに達することができる。最速加熱を得るためには、予め炉を設定された温度に加熱してから、炉をサンプル品位に移動することができる置を置く。最速冷却を得るためには、サンプルを加熱した後に炉を他端に移動することができます。加熱及び冷却速度は、真空又は不活性ガス雰囲気下で達成することができる10°C/sで、低コストで急速に加熱、冷却する2温度帯PECVDシステムである。

この三温区PECVDシステムはスウェーデンKanthal抵抗線とシリコン炭素棒を加熱素子とし、二重ケーシング構造と30段プログラム制御温度計器を採用し、移相トリガ、制御可能シリコン制御を採用し、炉床は日本輸入アルミナ多結晶繊維材料を採用し、炉管の両端はステンレスフランジで密封され、ステンレスフランジにはガスノズル、バルブが取り付けられていると圧力計、真空引き時の真空度は10-3 Paに達することができて、2つの温度区に分けて、2つの温度区は独立して異なる温度を制御して、設置することができて、使用は便利で、操作は簡単で、このストーブは温度場の均衡、表面温度が低くて、昇降温度の速度が速くて、省エネなどの利点があって、大学、科学研究院所、工鉱企業が高温雰囲気の焼 接合、グラフェン成長、各種薄膜成長の理想的な製品。

（1）、シリコン炭素棒の熱端粗さdは14 mm、一般メーカーが採用した12 MM、加熱端が太く、曲がりにくく、棒の表面負荷が低く、耐用年数が長い。

（2）、m冷端長は210 mmで、一般メーカーは180 mmを採用し、冷端長炉頂温度は低い。

（3）、シリコン炭素棒表面の酸化アモルファス膜が緻密で、比較的に良好な保護炭素棒ができる。

回路が過電流または漏電した場合、空の会議は自動的に切断される

この雰囲気管式炉可通信インタフェースとソフトウェアを備え、コンピュータを通じてストーブの各パラメータを直接制御することができ、そしてコンピュータからストーブ上のPVとSV温度値と計器の運行状況を観察することができ、ストーブの実際の昇温曲線コンピュータはリアルタイムに描出され、各時刻の温度データを保存することができ、いつでも呼び出すことができる

（1）、真空吸引ろ過成形の良質高純度アルミナ多結晶繊維硬化炉。
（2）、日本技術を用いて成形する。
（3）、炉内材料の熱容量が低く、熱伝導係数が低いため、放熱が少なく、保温がよく、反射率が高い。温度場の均衡。
（4）、炉内アルミナ糸は細く長く、耐温性が高く、熱膨張と冷縮に強い
（5）、炉の表面がつやつやしていて、粉が落ちにくい。

（すべてUL認証を取得した輸入機器）